“杰克、艾伦，准备十分钟后开炉……”
第二天的下午，未来科技硅谷单晶硅生产厂区内，安德烈和姚冬并排而立。
此时已经到了最后的降温准备出炉阶段了，第一阶段的努力成果，可以说是马上即将要揭晓了。
时间在众人心中等待中一分一秒的，除了姚冬这个老板之外，其他人可以说都是非常紧张的，只不过是因为兴奋激动而紧张，和亚历山大毫无关系。
“开炉的时候注意了，离生长炉不要太近，小心主炉打开的瞬间向外喷射的残留热气，听明白了吗？”
“明白了，教授……”
两人再次的挪动了下位置，距离生长炉的距离更加的远，同时两人异口同声的回答道。
“好，开炉！”
安德烈语气干脆的说道。
随后两人便按下了开炉按钮，炉门是自动打开的，这个只需要安装一个控制器就行了，和智能是没半毛钱关系的。
随着一缕微不可见的白烟喷出，这是高压热气与空气中的水分子相互作用产生的水蒸气，就和大冷天里哈气是一个道理。
继续等了一会儿，杰克与艾伦已是带上了耐高温手套，从炉室内取出两根表面呈黑亮光彩的棒状物体。
没错，这就是单晶硅棒了。不过单晶硅的本色是银灰色，由于晶向一致，呈玻璃状，因此看上去就变成黑色了。
刚刚生产出的单晶硅棒是不可以直接进行后续加工的，还需要进行一系列的检测，通过化学腐蚀及测试仪器对其进行检验和测量。
检测的过程也是包含很多细项，具体的有晶向、导电类型、掺杂、少子寿命、电阻率范围、电阻率均匀性、氧含量、碳含量、直径、长度、端面平兴度、端面弯曲度、位错密度以及裂纹硬伤等。
除开直径长度这两项，其他检测合格并达到规定标准后，才能进行下一步的切片加工。
这么多项的检测并没有花费多长的时间，因为可以辅助使用专门的单晶硅棒检测设备对其检测。
测试报告先被交给了安德烈教授，后者看了看之后原本其脸上严肃的表情也是有了些许笑容，想来应该是测试的结果要稍微好于预期了。
不一会儿姚冬也是从安德烈手中接过报告，快速的浏览了起来。
没有出乎意料之外，氧的含量果然是大大的超标了，现在的纯度也只达到99。15%，距离可用的99。9%貌似还有很大的一段差距。
这要是还是依靠传统的老办法进行不断的改进，估计是得需要相当一段长时间了。
“教授，首批试产的单晶硅棒在我看来你们也已经做得很成功了，接下来还是使用我们之前讨论过的磁控直拉技术吧，我个人建议可以先从横向磁场开始实验……”
安德烈的能力还是非常值得姚冬肯定的，不然姚冬也不会将这里放心的交由他来掌管。
“好的，老板，我会立马叫人对生长炉进行改装，制造磁场……”
由于此前对于磁场对熔体施加的力值姚冬已经说明，所以磁体的大小也是事先已经准备完毕，只要测量好位置，然后安装就行。
当然，这也只能说理论上是正确安装了，但是要想达到理想效果还是要根据后续在生长中熔体受力状况不断的进行微调整。
磁体的安装速度很快，也就是在主炉室壁外侧两面加装两块磁体就可以了，这样当对其通电的时候，根据电流的强弱就会形成不同强度的磁场。
生长炉经过一段时间的冷却，取出已经使用过的石英坩埚，再换上新的坩埚，封闭炉门。
经过抽真空、捡漏以及炉压控制步骤之后，新一轮的填料便能得以继续进行了。
磁控直拉生长技术和直拉生长技术的操作步骤是相同的，已经见识了安德烈团队对于生长炉的操控，姚冬也没什么不放心的。
“教授，关于磁场对于熔体运动影响的问题我想你们可以在以后的单晶硅实际生长中将各种数据慢慢比对，然后选用最佳位置制造最佳磁场。
现在我认为我们可以加快进程了，为了能早日制备出用于集成电路制造的标准级别的硅单晶，我们应该齐头并进，双管齐下……”
虽然事情是需要一步一步的来，但是生长技术最大的难题可以说自己也是帮忙解决了。
再应用另一种新的技术，也是没什么大碍的。
“老板，你是说，现在就准备开始区熔法技术？现在我们可是连设备的图纸都没有，更别说制造了……”
虽然知道姚冬当时告诉自己的技术迟早是要应用的，但是没想到是这样来得这样风风火火，自己这位老板真是太急切了吧，咋们完全可以逐步掌握技术、积累经验嘛！
这样不仅会减少许多不必要的技术浪费，完成平稳的过渡，也可以不至于让自己和自己的这帮助理们疲于奔命。
“图纸，这个很简单，一会我就可以提供给你，至于区熔法生长炉的组装，这个还是得靠教授你来想办法了，我会详细的向你解释区熔法的原理，以及每一个部件的详细功能！
当然，操作的大体步骤也是可以提供供你们参考的……”
走到旁边的办公桌上，拿起纸笔、尺子，姚冬便开始了区熔法生长炉图纸的绘制工作。
首先是起稳定作用的底座，底座内装有坩埚上升旋转机构，接着是主熔室，上下炉壁内使用真空泵抽真空。
外壁层向里，之后分别是绝缘层、加热组件、石墨坩埚，在炉室的另一侧配置直径控制传感器，颈口部位使用隔离阀确保单晶硅生长时炉内气体外泄。
外延烟囱状部位内有引导籽晶的吊绳，以及惰性气体氩气的进气口。最上方使用上升旋转机构封口。
最后，配上集合控制各个部位操作的控制系统，这样立式悬浮区熔法的图纸就算是绘制完毕了。
“教授，这就是大致的垂直区熔法设备的图纸了。值得注意的是，区熔法和直拉法的加热方式是有很大区别的，直拉法采用的是电阻加热直接将固体多晶硅加热成熔融状态从而进行生长。
而区熔法是利用电子轰击、高频感应或者是光学聚焦法将一段多晶硅区域融化，使液体靠表面张力支持而不坠落，然后靠移动多晶硅或者加热器使熔区移动。
这种方法不使用石英坩埚，能避免坩埚污染，由于杂质分凝和蒸发效应，可以生长出高电阻率硅单晶！”
至于更加先进的分室区熔技术，这个还等待下一阶段的试验成果出来再说吧！
贪多嚼不烂，每一位科学家对于未知的技术都是非常好奇的，为了不分散他们的注意力影响工作，只能将其好奇心扼杀在摇篮里了……